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发电机12ED020I12-F驱动芯片的内部结构和特点 2ED020I12-F芯片内部结构如图3-7中包括：逻辑逻入、电平转换、欠电压保 护、无核心变压器(CLT), 一个通用运算放大器和一个通用比较器。 芯片釆用上下桥臂分别独立供电，当VSH和VSL两端电压均在13V-18V之间时， 驱动芯片正常工作，当两端电压低于11V时，芯片内部启动欠电压保护；逻辑输入 端釆用施密特触发电路，提高抗能力，输入逻辑电路与3.3V和5V的TTL电平兼 容；当/SD引脚为低电平时，InH和InL封锁脉冲，模块关闭信号输入；当InH和 InL同时为高电平时，模块自动检测到逻辑错误，关闭驱动芯片输岀。通用的运算 放大器和比较器可以用于逆变桥下桥臂IGBT的电流检测。 为了保证信号传输时上下桥臂各通道相对独立，在芯片内部上桥臂端引入-•个 微小无核心变压器（CLT）作为上桥臂和下桥臂之间的电气屏蔽层。信号在无核心 变压器（CLT） 一侧通过专门的编码发射器发送，在另一侧以相应的接收器恢复。 通过这种方式，由GNDH （dVGNDH/dt）或磁通量＜d^/dT）的变化而产生的EMI 可以得到很好抑制。为了补偿发射器传输、无核心变压器和接收器所产生的传输延 迟，在下桥臂引入了一个专用的传播延迟（Delay）。这种无核心变压器的隔离方式 不仅集中了光耦隔离和集成电平位移等方法的优点，而且避免了缺点。提供了可靠 的电气隔离并且保证了输入输出信号的传输。  图3-7 2ED020I12-F内部结构图 Fig.3-7 2ED020I12-F Internal structure chart 2ED020I12-F驱动芯片的最大开关频率可以稳定的达到60KHz,所以它既可以 驱动IGBT,又可以驱动场效应管MOSFET.所以2ED020I12-F驱动芯片的应用领 域非常广泛，可以用于各种中小功率逆变电源，中小功率变频器以及电机马达的驱 动电路中。 |
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