发电机12ED020I12-F驱动芯片的内部结构和特点

作者：admin 发布时间：2021-04-06点击：882

发电机12ED020I12-F驱动芯片的内部结构和特点
2ED020I12-F芯片内部结构如图3-7中包括：逻辑逻入、电平转换、欠电压保护、无核心变压器(CLT), 一个通用运算放大器和一个通用比较器。
芯片釆用上下桥臂分别独立供电，当VSH和VSL两端电压均在13V-18V之间时，驱动芯片正常工作，当两端电压低于11V时，芯片内部启动欠电压保护；逻辑输入端釆用施密特触发电路，提高抗能力，输入逻辑电路与3.3V和5V的TTL电平兼容；当/SD引脚为低电平时，InH和InL封锁脉冲，模块关闭信号输入；当InH和 InL同时为高电平时，模块自动检测到逻辑错误，关闭驱动芯片输岀。通用的运算放大器和比较器可以用于逆变桥下桥臂IGBT的电流检测。
为了保证信号传输时上下桥臂各通道相对独立，在芯片内部上桥臂端引入-•个微小无核心变压器（CLT）作为上桥臂和下桥臂之间的电气屏蔽层。信号在无核心变压器（CLT）一侧通过专门的编码发射器发送，在另一侧以相应的接收器恢复。通过这种方式，由GNDH （dVGNDH/dt）或磁通量＜d^/dT）的变化而产生的EMI 可以得到很好抑制。为了补偿发射器传输、无核心变压器和接收器所产生的传输延迟，在下桥臂引入了一个专用的传播延迟（Delay）。这种无核心变压器的隔离方式不仅集中了光耦隔离和集成电平位移等方法的优点，而且避免了缺点。提供了可靠的电气隔离并且保证了输入输出信号的传输。

图3-7 2ED020I12-F内部结构图
Fig.3-7 2ED020I12-F Internal structure chart
2ED020I12-F驱动芯片的最大开关频率可以稳定的达到60KHz,所以它既可以驱动IGBT,又可以驱动场效应管MOSFET.所以2ED020I12-F驱动芯片的应用领域非常广泛，可以用于各种中小功率逆变电源，中小功率变频器以及电机马达的驱动电路中。